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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5123 个

  • 锂电池保护板,​80v130a场效应管,2908mos管,​KNP2908C-KIA MOS管

    KNP2908C场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流130A ，采用KIA的先进技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，低栅极电荷（典型值182nC)，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；具有快速的开关时间、出色的雪崩特性，高效稳定；高耐用性、改进的dv/dt能力、1...

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    www.kiaic.com/article/detail/5747.html         2025-06-24

  • ao3400参数,30v5.8a mos管,KIA3400参数代换-KIA MOS管

    ao3400场效应管代换型号?KIA3400漏极电流4.8A，漏源击穿电压30V，采用先进的沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，减少开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、绿色环保，稳定可靠；适用于电源管理、开关控制、功率放大、高频信...

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    www.kiaic.com/article/detail/5746.html         2025-06-24

  • ESD静电防护标准,ESD测试标准和方法-KIA MOS管

    1、esd静电防护标准是GB21148-2020。这是我国关于静电防护的主要标准之一，它规定了静电防护的相关要求和测试方法该标准强调了对防静电电阻值的要求。2、防静电国家标准GB21148-2020 对防静电电阻值要求为大于100kΩ和小于或等于1000MΩ，即100kΩ<电阻值≤...

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    www.kiaic.com/article/detail/5745.html         2025-06-24

  • 逆变器电源管理,150a80vmos管,KNM2808A场效应管参数-KIA MOS管

    KNM2808A场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，RDS（ON）值为4mΩ，极低RDS（ON）和优秀栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；高输入阻抗、低功耗、开关速度快，高效稳定；100%雪崩测试，可靠且坚固，无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），在...

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    www.kiaic.com/article/detail/5744.html         2025-06-23

  • 氙气灯安定器电路原理,作用详解-KIA MOS管

    氙气灯安定器的原理是将汽车蓄电池的12V直流电压，通过一系列电子转换与控制步骤，产生一个瞬间23000V的点火高压对灯头进行点火，点亮后再维持 85V 的交流电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/5743.html         2025-06-23

  • ss34二极管参数封装图,ss34二极管作用-KIA MOS管

    SS34肖特基二极管，具有高速开关特性和低正向压降，反向击穿电压可达40V，正向电流最大可达3A，适用于高频整流和开关电路。ss34二极管常用在小电流的（模型）电调上，用于电路瞬间整流。

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    www.kiaic.com/article/detail/5742.html         2025-06-23

  • 同步整流,60v100a,3206场效应管,KCY3206B参数-KIA MOS管

    KCY3206B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流100A，使用先进的SGT MOSFET技术，高密度单元设计，实现?极低导通电阻RDS(on) 2.4mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，100% UIS测试通过、100%▽VDS测试通过，?高效稳定；适用于DC-DC转换器、电源管理功能、...

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    www.kiaic.com/article/detail/5741.html         2025-06-20

  • 二极管特性曲线,伏安特性曲线-KIA MOS管

    当正向电压超过某一数值后，二极管才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压。在室温下，硅管的V th约为0.5V，锗管的V th约为0.1V。大于导通电压的区域称为导通区。

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    www.kiaic.com/article/detail/5740.html         2025-06-20

  • 无线收发电路图,电路原理详解-KIA MOS管

    晶体管Q1与晶体、电容C1、C2、C3和电感L2一起形成高频RF振荡器，其频率由晶体的第3个泛音值决定。由于使用了晶体，因此频率稳定无变化。Q2晶体管与C8、L4也形成振荡器，但设计用作接收器电路。必须精确调谐C8，L4，以锁定来自另一个收发器单元的晶体频率。

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    www.kiaic.com/article/detail/5739.html         2025-06-20

  • 直流转换器mos管,80v240a,toll封装,1808场效应管-KIA MOS管

    KCT1808A场效应管漏源击穿电压1500V，漏极电流3A，使用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(on) 1.25mΩ，优秀的栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，高效稳定；适用于电机控制和驱动、电池管理、DC/DC转换器等领域，采用TOLL封装，体积小、节省空间；热阻更小、散热...

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    www.kiaic.com/article/detail/5738.html         2025-06-19

  • 无线快充,手机无线充电器电路原理图-KIA MOS管

    在电路中，使用了调谐集电极振荡器（L1使用C1和C2）。调谐集电极振荡器使用集电极电路中的并联L-C电路作为负载，该电路决定振荡的频率。调谐电路两端产生的输出电压以感性耦合方式耦合到基极电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/5737.html         2025-06-19

  • 无线充电器电路原理图,工作原理详解-KIA MOS管

    无线充电器通过在发送端和接收端各安置一个线圈，发送端线圈在电力的作用下向外界发出电磁信号，接收端线圈收到电磁信号并将其转变为电流，从而达到无线充电的目的。

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    www.kiaic.com/article/detail/5736.html         2025-06-19

  • 变频器电源mos管,3a1500v mos管,KNF42150A参数-KIA MOS管

    KNF42150A场效应管漏源击穿电压1500V，漏极电流3A，适用于高速转换、高速开关应用场景；低导通电阻RDS(on)=5.5Ω，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高开关频率、低驱动电流，性能稳定可靠，在变频器电源和逆变器、适配器、充电器、SMPS待机...

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    www.kiaic.com/article/detail/5735.html         2025-06-18

  • 直流无刷电机,三相无刷直流电机原理-KIA MOS管

    无论是交流电源还是直流电源，在输入到电机线圈之前必须将直流电压通过逆变器转成三相电压来驱动电机，这就需由控制器来实现，控制器包括开关主电路，驱动电路，控制电路三部分组成。

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    www.kiaic.com/article/detail/5734.html         2025-06-18

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